창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL13N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL13N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 475m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15476-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL13N65M2 | |
| 관련 링크 | STL13N, STL13N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | SJPB-D9VL | DIODE SCHOTTKY 90V 1A SJP | SJPB-D9VL.pdf | |
![]() | AIUR-11-120K | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 38 mOhm Max Radial | AIUR-11-120K.pdf | |
![]() | 3520130RJT | RES SMD 130 OHM 5% 1W 2512 | 3520130RJT.pdf | |
![]() | RG2012N-8450-W-T1 | RES SMD 845 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-8450-W-T1.pdf | |
![]() | CW005450R0JB12 | CW005450R0JB12 GLENAIR SMD or Through Hole | CW005450R0JB12.pdf | |
![]() | BAV199 E6433 | BAV199 E6433 INFINEO SOT-23 | BAV199 E6433.pdf | |
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![]() | TDA15351 | TDA15351 NXP HLQFP256 | TDA15351.pdf | |
![]() | VS15B-24 | VS15B-24 LAMBDA SMD or Through Hole | VS15B-24.pdf |