창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL12N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL12N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750 m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 410pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-15054-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL12N65M2 | |
관련 링크 | STL12N, STL12N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
8Y27120003 | 27.12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y27120003.pdf | ||
ERA-8ARW1152V | RES SMD 11.5KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW1152V.pdf | ||
RT0603BRB074K02L | RES SMD 4.02KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB074K02L.pdf | ||
ATMEGA16A-AU | ATMEGA16A-AU ATMEL QFP | ATMEGA16A-AU .pdf | ||
LTIX(LT1784IS6) | LTIX(LT1784IS6) LINEAR SMD or Through Hole | LTIX(LT1784IS6).pdf | ||
MSP430F5508IRGCR | MSP430F5508IRGCR TI QFN64 | MSP430F5508IRGCR.pdf | ||
X0202MN5B4A | X0202MN5B4A ST SOT223 | X0202MN5B4A.pdf | ||
SM16CXC724 | SM16CXC724 WESTCODE SMD or Through Hole | SM16CXC724.pdf | ||
2EDGKM(3.5MM3.81MM) | 2EDGKM(3.5MM3.81MM) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2EDGKM(3.5MM3.81MM).pdf | ||
B62152A7X30 | B62152A7X30 TDK-EPC SMD or Through Hole | B62152A7X30.pdf | ||
432AN-1191EO=P3 | 432AN-1191EO=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 432AN-1191EO=P3.pdf | ||
6433248C71P | 6433248C71P YAMAHA DIP | 6433248C71P.pdf |