창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL12N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL12N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 495m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 538pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16039-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL12N60M2 | |
| 관련 링크 | STL12N, STL12N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VS-26MB100A | RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A D-34A | VS-26MB100A.pdf | |
![]() | RC0603FR-07698KL | RES SMD 698K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-07698KL.pdf | |
![]() | CRG0603F3K16 | RES SMD 3.16K OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F3K16.pdf | |
![]() | HRG3216P-6342-D-T1 | RES SMD 63.4K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6342-D-T1.pdf | |
![]() | RK08H12100GP.RK08H12100F3 | RK08H12100GP.RK08H12100F3 ALPS SMD or Through Hole | RK08H12100GP.RK08H12100F3.pdf | |
![]() | ES56031E | ES56031E ERSO DIP | ES56031E.pdf | |
![]() | MMSZ4684T1 1206-3.3V | MMSZ4684T1 1206-3.3V ON SMD or Through Hole | MMSZ4684T1 1206-3.3V.pdf | |
![]() | M30622M8A-4J7FP | M30622M8A-4J7FP MITSUBISHI QFP | M30622M8A-4J7FP.pdf | |
![]() | MSU2312NL | MSU2312NL taitron SOT23 | MSU2312NL.pdf | |
![]() | 2SD2043-T1(GZ) | 2SD2043-T1(GZ) NEC STOCK | 2SD2043-T1(GZ).pdf | |
![]() | TL601MJG | TL601MJG TI CDIP | TL601MJG.pdf |