창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL120N4F6AG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL120N4F6AG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-15475-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL120N4F6AG | |
관련 링크 | STL120N, STL120N4F6AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
WSL2512R0170FEA18 | RES SMD 0.017 OHM 1% 2W 2512 | WSL2512R0170FEA18.pdf | ||
RGPP1J-28A-4-LF | RGPP1J-28A-4-LF Gulf SMD or Through Hole | RGPP1J-28A-4-LF.pdf | ||
SN75452N | SN75452N NS SMD or Through Hole | SN75452N.pdf | ||
71C256 | 71C256 IDT SOJ-28 | 71C256.pdf | ||
TC7W74F /7W74 | TC7W74F /7W74 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7W74F /7W74.pdf | ||
M32122ME | M32122ME ORIGINAL BGA | M32122ME.pdf | ||
H1QT1 | H1QT1 NO 3 SOT-23 | H1QT1.pdf | ||
LMC6462AIM+ | LMC6462AIM+ NS SMD or Through Hole | LMC6462AIM+.pdf | ||
T5421 | T5421 ORIGINAL SMD or Through Hole | T5421.pdf | ||
RC2012J0153CS | RC2012J0153CS SAM RES | RC2012J0153CS.pdf | ||
NQ82000PH | NQ82000PH INTEL BGA | NQ82000PH.pdf |