창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL120N2VH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL120N2VH5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 14A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(2.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12978-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL120N2VH5 | |
| 관련 링크 | STL120, STL120N2VH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CK45-B3DD561KYNN | 560pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.217" Dia(5.50mm) | CK45-B3DD561KYNN.pdf | |
![]() | RR1220P-1960-D-M | RES SMD 196 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-1960-D-M.pdf | |
![]() | RNF14JAD10R0 | RES 10 OHM 1/4W 5% AXIAL | RNF14JAD10R0.pdf | |
![]() | EP2SGX130GF1508C4N | EP2SGX130GF1508C4N ALTERA SMD or Through Hole | EP2SGX130GF1508C4N.pdf | |
![]() | PCB242IP | PCB242IP PHILIPS DIP-8 | PCB242IP.pdf | |
![]() | DD30GB-80 | DD30GB-80 SANREX SMD or Through Hole | DD30GB-80.pdf | |
![]() | RI-CTL-MB6A-03 | RI-CTL-MB6A-03 TI SMD or Through Hole | RI-CTL-MB6A-03.pdf | |
![]() | CTMC1210-101J | CTMC1210-101J CENTRALTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | CTMC1210-101J.pdf | |
![]() | B39721B9036E910 | B39721B9036E910 EPCOS SMD | B39721B9036E910.pdf | |
![]() | 1N973B-1 | 1N973B-1 MICROSEMI SMD | 1N973B-1.pdf | |
![]() | C0603X5R0J683K | C0603X5R0J683K TDK SMD or Through Hole | C0603X5R0J683K.pdf | |
![]() | OS103011MS8QP1 | OS103011MS8QP1 ORIGINAL SMD or Through Hole | OS103011MS8QP1.pdf |