창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL11N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL11N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 4.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 644pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFLAT™(5x5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-15261-2 STL11N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL11N65M5 | |
| 관련 링크 | STL11N, STL11N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FCN1913G103J | 10000pF Film Capacitor 400V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) | FCN1913G103J.pdf | |
![]() | MICROSMD110-2 | POLYSWITCH 1.10A RESET FUSE SMD | MICROSMD110-2.pdf | |
![]() | MCW0406MD7689BP100 | RES SMD 76.8 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD7689BP100.pdf | |
![]() | B39151-B5029-H510 | B39151-B5029-H510 EPCOS SAW | B39151-B5029-H510.pdf | |
![]() | HDL3T059-11FF | HDL3T059-11FF HITACHI QFP | HDL3T059-11FF.pdf | |
![]() | SD1A107M05011BB180 | SD1A107M05011BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1A107M05011BB180.pdf | |
![]() | 51-W4083C03 | 51-W4083C03 TOSHIBA SMD or Through Hole | 51-W4083C03.pdf | |
![]() | 2SD628 | 2SD628 ORIGINAL 3P | 2SD628.pdf | |
![]() | MCRF200-I/WFXXX | MCRF200-I/WFXXX MICROCHIP dip sop | MCRF200-I/WFXXX.pdf | |
![]() | HEF4724 | HEF4724 HEF DIP | HEF4724.pdf | |
![]() | SBR6045L | SBR6045L microsemi DO-5 | SBR6045L.pdf | |
![]() | HG3-AC100 | HG3-AC100 NAIS RELAY | HG3-AC100.pdf |