창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL100N8F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL100N8F7 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
설계 리소스 | STL100N8F7 PSpice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3435pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-16502-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL100N8F7 | |
관련 링크 | STL100, STL100N8F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | ULA3-9RA032 | ULA3-9RA032 KWANASIA DIP48 | ULA3-9RA032.pdf | |
![]() | D431000AGD-TF55 | D431000AGD-TF55 NEC TSOP | D431000AGD-TF55.pdf | |
![]() | FT1580 | FT1580 FOCALTECH QFN | FT1580.pdf | |
![]() | 402S43W471KV4E | 402S43W471KV4E JOH SMD or Through Hole | 402S43W471KV4E.pdf | |
![]() | STD20NE06(T4) | STD20NE06(T4) ST SMD or Through Hole | STD20NE06(T4).pdf | |
![]() | HM51W16400LTS-7 | HM51W16400LTS-7 HITACHI SOJ24 | HM51W16400LTS-7.pdf | |
![]() | RWT200P | RWT200P TOKO DIP | RWT200P.pdf | |
![]() | SUP85N02 | SUP85N02 ORIGINAL TO-220 | SUP85N02.pdf | |
![]() | FDU13N06 | FDU13N06 FAIRCHILD TO-252 | FDU13N06.pdf | |
![]() | TEA1533AP/N1.112 | TEA1533AP/N1.112 NXP SMD or Through Hole | TEA1533AP/N1.112.pdf | |
![]() | BSW87 | BSW87 ORIGINAL SMD or Through Hole | BSW87.pdf | |
![]() | CY74FCT2374ATQCT | CY74FCT2374ATQCT TEXAS QSOP | CY74FCT2374ATQCT.pdf |