창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL100N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL100N10F7 | |
기타 관련 문서 | STL100N10F7 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13649-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL100N10F7 | |
관련 링크 | STL100, STL100N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
LGY2V471MELC | 470µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | LGY2V471MELC.pdf | ||
VJ0805D102GXAAJ | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102GXAAJ.pdf | ||
293D106X9035C2TE3 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.6 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 293D106X9035C2TE3.pdf | ||
HK4100F-9VDC-SHG | HK4100F-9VDC-SHG H-K DIP-9 | HK4100F-9VDC-SHG.pdf | ||
ISL9000IRNCZ | ISL9000IRNCZ intersil SMD or Through Hole | ISL9000IRNCZ.pdf | ||
NV39MC2A-T | NV39MC2A-T ORIGINAL SMD or Through Hole | NV39MC2A-T.pdf | ||
ADR550BRT(XHZ) | ADR550BRT(XHZ) AD SOT23 | ADR550BRT(XHZ).pdf | ||
0301A0B2 | 0301A0B2 DELTA SMD or Through Hole | 0301A0B2.pdf | ||
ESA25.0000F20D33S | ESA25.0000F20D33S HOSONIC SMD or Through Hole | ESA25.0000F20D33S.pdf | ||
A80376-16 | A80376-16 INTEL PGA | A80376-16.pdf | ||
SC106109 | SC106109 ORIGINAL QFN | SC106109.pdf |