창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI8N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx8N65M5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 690pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-11333-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI8N65M5 | |
관련 링크 | STI8N, STI8N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
C0402C910J5GACTU | 91pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C910J5GACTU.pdf | ||
2SC3735-B25 | 2SC3735-B25 NEC SOT23 | 2SC3735-B25.pdf | ||
B1169P | B1169P Panasonic TO-251 | B1169P.pdf | ||
S-1112B48MC-L7H | S-1112B48MC-L7H SEIKO SOPDIP | S-1112B48MC-L7H.pdf | ||
KMPC8270CZUQLDA | KMPC8270CZUQLDA MOT BGA | KMPC8270CZUQLDA.pdf | ||
MAX639ESA | MAX639ESA MAXIM SOP8 | MAX639ESA.pdf | ||
77427-121 | 77427-121 ORIGINAL SMD or Through Hole | 77427-121.pdf | ||
FSM327 | FSM327 ORIGINAL SMD or Through Hole | FSM327.pdf | ||
RN5RG28AATR | RN5RG28AATR RICOH SMD or Through Hole | RN5RG28AATR.pdf | ||
AM29F400BT-45SI | AM29F400BT-45SI AMD SOP | AM29F400BT-45SI.pdf | ||
B41851F8226M000 | B41851F8226M000 EPCOS DIP | B41851F8226M000.pdf | ||
HD6433712D21P | HD6433712D21P RENESAS SMD or Through Hole | HD6433712D21P.pdf |