창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI8N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx8N65M5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 690pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-11333-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI8N65M5 | |
관련 링크 | STI8N, STI8N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
PWR6327W75R0J | RES SMD 75 OHM 5% 3W 6327 | PWR6327W75R0J.pdf | ||
CAT1161LI-42G | CAT1161LI-42G CSI DIP8 | CAT1161LI-42G.pdf | ||
STTA6006P | STTA6006P ST TO-3PAC | STTA6006P.pdf | ||
MDQ100A | MDQ100A MIC/SEP DIP | MDQ100A.pdf | ||
IP-JN1-CY | IP-JN1-CY IP SMD or Through Hole | IP-JN1-CY.pdf | ||
OPA27EJ-4 | OPA27EJ-4 BB CAN | OPA27EJ-4.pdf | ||
MPDTY013S-ZF | MPDTY013S-ZF MURATA SMD or Through Hole | MPDTY013S-ZF.pdf | ||
KDE0504PFV1.11.MS.AF.GN | KDE0504PFV1.11.MS.AF.GN SUNON SMD or Through Hole | KDE0504PFV1.11.MS.AF.GN.pdf | ||
TSR60F | TSR60F ORIGINAL 1808 | TSR60F.pdf | ||
LI0805G301R-10+ | LI0805G301R-10+ steward SMD or Through Hole | LI0805G301R-10+.pdf | ||
GRM1555C1E102JA01 | GRM1555C1E102JA01 KEMET/MURATA/SAMSUNG SMD or Through Hole | GRM1555C1E102JA01.pdf |