창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI45N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx45N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 22.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14567-5 STI45N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI45N10F7 | |
| 관련 링크 | STI45N, STI45N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 046703.5NR | FUSE BRD MNT 3.5A 32VAC/VDC 0603 | 046703.5NR.pdf | |
![]() | 416F4001XATT | 40MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4001XATT.pdf | |
![]() | ELC-10D152E | 1.5mH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.5 Ohm Radial | ELC-10D152E.pdf | |
![]() | CMF6013K300FKEB | RES 13.3K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6013K300FKEB.pdf | |
![]() | CD18400C12NO90D | PES M18 400MM NO AC 90D | CD18400C12NO90D.pdf | |
![]() | AB60A2A-1 | AB60A2A-1 NORTEL BGA | AB60A2A-1.pdf | |
![]() | LP61256GS-12/UAQ | LP61256GS-12/UAQ ORIGINAL SMD or Through Hole | LP61256GS-12/UAQ.pdf | |
![]() | LM26001BMHX | LM26001BMHX NS TSSOP | LM26001BMHX.pdf | |
![]() | MAX1836EUT50G16 | MAX1836EUT50G16 MAXIM SMD or Through Hole | MAX1836EUT50G16.pdf | |
![]() | SWB-T36A | SWB-T36A SAMSUNG QFN | SWB-T36A.pdf | |
![]() | UNR9214G08 | UNR9214G08 PANASONI SOT-490 | UNR9214G08.pdf |