창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI400N4F6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STI400N4F6, STP400N4F6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 377nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14566-5 STI400N4F6-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI400N4F6 | |
| 관련 링크 | STI400, STI400N4F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 3-1393240-0 | RELAY GEN PURP | 3-1393240-0.pdf | |
![]() | TNPW0805115RBEEA | RES SMD 115 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805115RBEEA.pdf | |
![]() | SSTL16877DGG/G,518 | SSTL16877DGG/G,518 NXP SSTL16877DGG TSSOP48 | SSTL16877DGG/G,518.pdf | |
![]() | CSTLS4M19G53 | CSTLS4M19G53 ORIGINAL DIP | CSTLS4M19G53.pdf | |
![]() | 2SD2150 S | 2SD2150 S CR SOT-89 | 2SD2150 S.pdf | |
![]() | 1NQS24-2A | 1NQS24-2A BI SSOP24 | 1NQS24-2A.pdf | |
![]() | FS15R06XE3 | FS15R06XE3 EUPEC SMD or Through Hole | FS15R06XE3.pdf | |
![]() | RC0603JR-07 12K(0603-12K) | RC0603JR-07 12K(0603-12K) ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603JR-07 12K(0603-12K).pdf | |
![]() | 6802-950*950 | 6802-950*950 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6802-950*950.pdf | |
![]() | 54F11FMQB/C | 54F11FMQB/C F SOP14 | 54F11FMQB/C.pdf | |
![]() | 52559-2670 | 52559-2670 MOLEX SMD or Through Hole | 52559-2670.pdf | |
![]() | M1-6611A-9 | M1-6611A-9 HARRIS CDIP | M1-6611A-9.pdf |