창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI360N4F6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STI360N4F6, STP360N4F6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 340nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17930pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14565-5 STI360N4F6-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI360N4F6 | |
관련 링크 | STI360, STI360N4F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 9-1415036-1 | Module, LED and/or Protection RT Series, SCHRACK | 9-1415036-1.pdf | |
![]() | MMB02070C1652FB200 | RES SMD 16.5K OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C1652FB200.pdf | |
![]() | RS0102K700FS73 | RES 2.7K OHM 10W 1% WW AXIAL | RS0102K700FS73.pdf | |
![]() | LE82ELV QT39ES | LE82ELV QT39ES INTEL BGA | LE82ELV QT39ES.pdf | |
![]() | LM2575MX-3.3 | LM2575MX-3.3 National SOP | LM2575MX-3.3.pdf | |
![]() | PCF8535U/2/F1,026 | PCF8535U/2/F1,026 NXP 2012 | PCF8535U/2/F1,026.pdf | |
![]() | XA2C32AVQG44AMS | XA2C32AVQG44AMS XILINX QFP | XA2C32AVQG44AMS.pdf | |
![]() | VA5SK-5 | VA5SK-5 TAKAMISAWA DIP-SOP | VA5SK-5.pdf | |
![]() | LDTD123YWT1G | LDTD123YWT1G LRC SC-70SOT-323 | LDTD123YWT1G.pdf | |
![]() | CBT16212 | CBT16212 TI SSOP-56 | CBT16212.pdf | |
![]() | FQP12N20 | FQP12N20 FSC SMD or Through Hole | FQP12N20.pdf | |
![]() | X28C64EMB-35 | X28C64EMB-35 XICOR LCC | X28C64EMB-35.pdf |