창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI34N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB,I,P,W34N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAKFP(TO-281) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13439 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI34N65M5 | |
| 관련 링크 | STI34N, STI34N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | IPB100N08S2L07ATMA1 | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | IPB100N08S2L07ATMA1.pdf | |
![]() | TMP86CS44UG-4V84 | TMP86CS44UG-4V84 TOSHIBA QFP | TMP86CS44UG-4V84.pdf | |
![]() | 655P | 655P TOYO 2P3P | 655P.pdf | |
![]() | JSY-2450-001-A | JSY-2450-001-A SY SMD or Through Hole | JSY-2450-001-A.pdf | |
![]() | 0805 Y5V 823 M 500NT | 0805 Y5V 823 M 500NT TASUND SMD or Through Hole | 0805 Y5V 823 M 500NT.pdf | |
![]() | SY10EL1189ZC | SY10EL1189ZC SYNERGY SOP16 | SY10EL1189ZC.pdf | |
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![]() | 2C3358 | 2C3358 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2C3358.pdf | |
![]() | VKC03-12S5 | VKC03-12S5 ASTRODYNE DIP24 | VKC03-12S5.pdf | |
![]() | T80F800VSM | T80F800VSM EUPEC SMD or Through Hole | T80F800VSM.pdf | |
![]() | 3VE3-8LA00 | 3VE3-8LA00 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3VE3-8LA00.pdf | |
![]() | MB89251PF-G-BND | MB89251PF-G-BND FUJITSU SOP | MB89251PF-G-BND.pdf |