창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI33N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx33N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1790pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15551-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI33N65M2 | |
관련 링크 | STI33N, STI33N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
500R07S200JV4T | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S200JV4T.pdf | ||
C0603C110C5GACTU | 11pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C110C5GACTU.pdf | ||
S1812R-182G | 1.8µH Shielded Inductor 681mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-182G.pdf | ||
HRM060AN03W3 | HRM060AN03W3 EMC SMD or Through Hole | HRM060AN03W3.pdf | ||
ETC4-1T-7//maba-008639 | ETC4-1T-7//maba-008639 ORIGINAL SMD or Through Hole | ETC4-1T-7//maba-008639.pdf | ||
HAT2092RELE | HAT2092RELE MAXIM PLCC68 | HAT2092RELE.pdf | ||
UPC2100 | UPC2100 NEC TSSOP20 | UPC2100.pdf | ||
CDR105-100MC | CDR105-100MC SUMIDA SMD | CDR105-100MC.pdf | ||
644803-2 | 644803-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 644803-2.pdf | ||
UPD7554CS-115 | UPD7554CS-115 NEC SMD or Through Hole | UPD7554CS-115.pdf | ||
PBSS5320T.215 | PBSS5320T.215 NXP SMD or Through Hole | PBSS5320T.215.pdf |