창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI20N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx20N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1434pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13774-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI20N65M5 | |
| 관련 링크 | STI20N, STI20N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ0603P2N0ST000 | 2nH Unshielded Multilayer Inductor 700mA 120 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P2N0ST000.pdf | |
![]() | SCRH74B-121 | 120µH Shielded Inductor 520mA 660 mOhm Max Nonstandard | SCRH74B-121.pdf | |
![]() | AA0805FR-072R05L | RES SMD 2.05 OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-072R05L.pdf | |
![]() | AT1206BRD07475RL | RES SMD 475 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07475RL.pdf | |
![]() | 1N5400B | 1N5400B MICROSEMICORP ORIGINAL | 1N5400B.pdf | |
![]() | SCK15D2201 | SCK15D2201 ORIGINAL DIP | SCK15D2201.pdf | |
![]() | EP3CLS200F780C8ES | EP3CLS200F780C8ES ALTERA BGA | EP3CLS200F780C8ES.pdf | |
![]() | BZT52B10 _R1 _00001 | BZT52B10 _R1 _00001 PANJIT SMD or Through Hole | BZT52B10 _R1 _00001.pdf | |
![]() | FQD9N25TF | FQD9N25TF ORIGINAL TO-252 | FQD9N25TF.pdf | |
![]() | BT895KPF | BT895KPF BT QFP | BT895KPF.pdf | |
![]() | RVJ100V330MH10SR | RVJ100V330MH10SR ELNA SMD or Through Hole | RVJ100V330MH10SR.pdf | |
![]() | NJM2135M-TE2CT | NJM2135M-TE2CT JRC SMD or Through Hole | NJM2135M-TE2CT.pdf |