창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI150N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx150N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8115pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15015-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI150N10F7 | |
| 관련 링크 | STI150, STI150N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RG1608P-1401-P-T1 | RES SMD 1.4KOHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-1401-P-T1.pdf | |
![]() | RNF14BTE1K11 | RES 1.11K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE1K11.pdf | |
![]() | UPD800268F1-011-MN9 | UPD800268F1-011-MN9 NEC BGA | UPD800268F1-011-MN9.pdf | |
![]() | JQX-115F-012/2ZS4 | JQX-115F-012/2ZS4 ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-115F-012/2ZS4.pdf | |
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![]() | M5913B1 | M5913B1 ST DIP 20 | M5913B1.pdf | |
![]() | 4833637 | 4833637 PHI SOP | 4833637.pdf | |
![]() | ST3906 | ST3906 ST TO-92 | ST3906.pdf | |
![]() | BA8207BAKS | BA8207BAKS BEC DIP20 | BA8207BAKS.pdf | |
![]() | HD6437034 | HD6437034 HITACHI QFP | HD6437034.pdf | |
![]() | CS52015-3GDP3 | CS52015-3GDP3 ONSemiconductor SMD or Through Hole | CS52015-3GDP3.pdf | |
![]() | PO903 | PO903 NIKO SMD or Through Hole | PO903.pdf |