창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI10N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx(x)10N62K3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12256 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI10N62K3 | |
| 관련 링크 | STI10N, STI10N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 31762-26 | AC/DC | 31762-26.pdf | |
![]() | EEH-ZA1E560P | 56µF 25V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 50 mOhm 10000 Hrs @ 105°C | EEH-ZA1E560P.pdf | |
![]() | C1005X8R1H681M050BE | 680pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X8R1H681M050BE.pdf | |
![]() | 5KP40 | TVS DIODE 40VWM 67.73VC P600 | 5KP40.pdf | |
![]() | L-7701C4VGC-Z | L-7701C4VGC-Z KIBGBRIGHT ROHS | L-7701C4VGC-Z.pdf | |
![]() | BAV10(9331 185 60136) | BAV10(9331 185 60136) PHI DO-35 | BAV10(9331 185 60136).pdf | |
![]() | CA3100E32-1PB01 | CA3100E32-1PB01 ITTCannon SMD or Through Hole | CA3100E32-1PB01.pdf | |
![]() | 0603-1.21M | 0603-1.21M ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-1.21M.pdf | |
![]() | Q3307JC41004111 | Q3307JC41004111 EPSONTOYO SMD or Through Hole | Q3307JC41004111.pdf | |
![]() | 893D227X96R3D2TE3 | 893D227X96R3D2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 893D227X96R3D2TE3.pdf | |
![]() | FF14-30A-R11B | FF14-30A-R11B DDK SOP | FF14-30A-R11B.pdf | |
![]() | 305URA140 | 305URA140 IR SMD or Through Hole | 305URA140.pdf |