창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STH320N4F6-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STH320N4F6-2,-6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | H²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-13875-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STH320N4F6-2 | |
| 관련 링크 | STH320N, STH320N4F6-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SPM5015T-2R2M-LR | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 43.5 mOhm Max Nonstandard | SPM5015T-2R2M-LR.pdf | |
![]() | FRM-50JR-52-47R | RES 47 OHM 1/2W 5% AXIAL | FRM-50JR-52-47R.pdf | |
![]() | CMF65255R00DHR6 | RES 255 OHM 1.5W 0.5% AXIAL | CMF65255R00DHR6.pdf | |
![]() | IDT70V9359L7PF | IDT70V9359L7PF IDT QFP | IDT70V9359L7PF.pdf | |
![]() | 400LSU2200M51X138 | 400LSU2200M51X138 RUBYCON DIP | 400LSU2200M51X138.pdf | |
![]() | 150.1750MHZ | 150.1750MHZ KSS DIP- | 150.1750MHZ.pdf | |
![]() | 10DL1-25000R-01 | 10DL1-25000R-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10DL1-25000R-01.pdf | |
![]() | PNBDT8500 | PNBDT8500 ORIGINAL SMD or Through Hole | PNBDT8500.pdf | |
![]() | CCR05CK3R3JM | CCR05CK3R3JM AVX DIP | CCR05CK3R3JM.pdf | |
![]() | LTC1609ACSW#PBF | LTC1609ACSW#PBF LT SOP-20P | LTC1609ACSW#PBF.pdf |