창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STH250N6F3-6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-11842-1 STH250N6F36 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STH250N6F3-6 | |
관련 링크 | STH250N, STH250N6F3-6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CMT908-H3 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3.2A DCR 120 mOhm | CMT908-H3.pdf | |
![]() | ERA-8AEB4021V | RES SMD 4.02K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB4021V.pdf | |
![]() | UPD780032AGK-B18-9ET | UPD780032AGK-B18-9ET NEC QFP | UPD780032AGK-B18-9ET.pdf | |
![]() | M50925-458FP | M50925-458FP ORIGINAL SOP36 | M50925-458FP.pdf | |
![]() | R213426000 | R213426000 RADIALL SMD or Through Hole | R213426000.pdf | |
![]() | SS812-26CV | SS812-26CV SILICON SOT23-5 | SS812-26CV.pdf | |
![]() | IRF644NSPBF-VI | IRF644NSPBF-VI VISHAY SMD or Through Hole | IRF644NSPBF-VI.pdf | |
![]() | A8800 | A8800 XX SOT-89 | A8800.pdf | |
![]() | AD43341 | AD43341 AD CAN | AD43341.pdf | |
![]() | RNM-0915S | RNM-0915S RECOM DIP6 | RNM-0915S.pdf | |
![]() | IXTM17N65 | IXTM17N65 IXYS TO-3 | IXTM17N65.pdf | |
![]() | 25MV3300FA | 25MV3300FA Sanyo N A | 25MV3300FA.pdf |