창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STH140N8F7-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STH140N8F7-2 | |
| 주요제품 | S TripFET F7 Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6340pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | H²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-14534-2 STH140N8F7-2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STH140N8F7-2 | |
| 관련 링크 | STH140N, STH140N8F7-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 10HV36B225KN | 2.2µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 1.450" L x 0.270" W(36.83mm x 6.86mm) | 10HV36B225KN.pdf | |
![]() | CRA06P04313R0JTA | RES ARRAY 2 RES 13 OHM 0606 | CRA06P04313R0JTA.pdf | |
![]() | TEP476K016SCS | TEP476K016SCS AVX SMD or Through Hole | TEP476K016SCS.pdf | |
![]() | IS42S16160-7T | IS42S16160-7T ISSI TSOP54 | IS42S16160-7T.pdf | |
![]() | SAK-C167CR-LMAB | SAK-C167CR-LMAB SIEMENS MQFP144 | SAK-C167CR-LMAB.pdf | |
![]() | P170A | P170A TOSHIBA SOP-4 | P170A.pdf | |
![]() | V60100C-E3 | V60100C-E3 VISHAY TO-220 | V60100C-E3.pdf | |
![]() | EP2C5T144C-8N | EP2C5T144C-8N Altera SMD or Through Hole | EP2C5T144C-8N.pdf | |
![]() | FU430B | FU430B FSC TO-251 | FU430B.pdf | |
![]() | VDP3120B-PP-B1XX | VDP3120B-PP-B1XX MICRONAS DIP | VDP3120B-PP-B1XX.pdf | |
![]() | NREL331M25V10x9.5F | NREL331M25V10x9.5F NIC DIP | NREL331M25V10x9.5F.pdf | |
![]() | UL1015-16A 290M/ | UL1015-16A 290M/ ORIGINAL SMD or Through Hole | UL1015-16A 290M/.pdf |