STMicroelectronics STH130N10F3-2

STH130N10F3-2
제조업체 부품 번호
STH130N10F3-2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
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내부 부품 번호EIS-STH130N10F3-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx(x)130N10F3(-2)
기타 관련 문서STH130N10F3-2 View All Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열STripFET™ III
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.3m옴 @ 60A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs57nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3305pF @ 25V
전력 - 최대250W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형
공급 장치 패키지H²PAK
표준 포장 1,000
다른 이름497-13091-2
STH130N10F32
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STH130N10F3-2
관련 링크STH130N, STH130N10F3-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
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24MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 8Y-24.000MAAJ-T.pdf
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