창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STGP10H60DF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STGx10H60DF | |
| 주요제품 | Tail-Less 600 V IGBT V Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 40A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 10A | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 스위칭 에너지 | 83µJ(켜기), 140µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 57nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 19.5ns/103ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 10A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 107ns | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14277-5 STGP10H60DF-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STGP10H60DF | |
| 관련 링크 | STGP10, STGP10H60DF 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | TRR03EZPF1202 | RES SMD 12K OHM 1% 1/10W 0603 | TRR03EZPF1202.pdf | |
![]() | CRCW06033K30JNTC | RES SMD 3.3K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06033K30JNTC.pdf | |
![]() | H8825RDZA | RES 825 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H8825RDZA.pdf | |
![]() | 50YXA10MTA5X11 | 50YXA10MTA5X11 RUBYCON SMD or Through Hole | 50YXA10MTA5X11.pdf | |
![]() | ST72F32AK1T6 | ST72F32AK1T6 ST QFP | ST72F32AK1T6.pdf | |
![]() | 216DCCDBFA22E(K4D263 | 216DCCDBFA22E(K4D263 ATI BGA | 216DCCDBFA22E(K4D263.pdf | |
![]() | PTHAR1R2M(PTH623G04AR1R2M014) | PTHAR1R2M(PTH623G04AR1R2M014) MURATA SMD or Through Hole | PTHAR1R2M(PTH623G04AR1R2M014).pdf | |
![]() | HISILICON | HISILICON HISILICON QFP | HISILICON.pdf | |
![]() | QG82GWD | QG82GWD INTEL BGA | QG82GWD.pdf | |
![]() | T80F800VSL | T80F800VSL EUPEC SMD or Through Hole | T80F800VSL.pdf | |
![]() | SMBJ5233BTR-13 | SMBJ5233BTR-13 Microsemi SMB | SMBJ5233BTR-13.pdf |