창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STGD3NB60SDT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STGD3NB60SD | |
| 기타 관련 문서 | STGD3NB60SD View All Specifications | |
| 주요제품 | Tail-Less 600 V IGBT V Series | |
| 카탈로그 페이지 | 1539 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | PowerMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 25A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 스위칭 에너지 | 1.15mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 18nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 125µs/- | |
| 테스트 조건 | 480V, 3A, 1 k옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 1.7µs | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-4109-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STGD3NB60SDT4 | |
| 관련 링크 | STGD3NB, STGD3NB60SDT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SL1021B260C | GDT 260V 20KA | SL1021B260C.pdf | |
![]() | ERJ-S14F1963U | RES SMD 196K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F1963U.pdf | |
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![]() | B6P-VH-R | B6P-VH-R JST SMD or Through Hole | B6P-VH-R.pdf | |
![]() | CX-49G25000MHZ20PF | CX-49G25000MHZ20PF KINSEKI SMD or Through Hole | CX-49G25000MHZ20PF.pdf | |
![]() | RD220002NWF | RD220002NWF TI DIP | RD220002NWF.pdf | |
![]() | MC33362DWR | MC33362DWR ON SOP-16 | MC33362DWR.pdf |