창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STFI8N80K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STF(I)8N80K5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
공급 장치 패키지 | I2PAKFP(TO-281) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13868-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STFI8N80K5 | |
관련 링크 | STFI8N, STFI8N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 25PX1000M10X16 | 25PX1000M10X16 RUBYCON DIP | 25PX1000M10X16.pdf | |
![]() | UPD65652GD-020LML-RV | UPD65652GD-020LML-RV NEC QFP | UPD65652GD-020LML-RV.pdf | |
![]() | DFC21R89P020HHE-TA2020 | DFC21R89P020HHE-TA2020 ORIGINAL SMD or Through Hole | DFC21R89P020HHE-TA2020.pdf | |
![]() | W5VOC-869M | W5VOC-869M M QFN | W5VOC-869M.pdf | |
![]() | 221-284 | 221-284 NO DIP | 221-284.pdf | |
![]() | BC817-40R | BC817-40R PHI/INF SOT-23 | BC817-40R.pdf | |
![]() | SP7661ER | SP7661ER SP QFN | SP7661ER.pdf | |
![]() | M28LW032D90ZA1S | M28LW032D90ZA1S ST BGA | M28LW032D90ZA1S.pdf | |
![]() | TRW1115B7C | TRW1115B7C TRW CDIP | TRW1115B7C.pdf | |
![]() | P6BU-1212ZLF | P6BU-1212ZLF PEAK SMD or Through Hole | P6BU-1212ZLF.pdf | |
![]() | F191-095 | F191-095 CAREER SMD or Through Hole | F191-095.pdf | |
![]() | K7A201800A-QC14 | K7A201800A-QC14 SAMSUNG TQFP100 | K7A201800A-QC14.pdf |