창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STFI4N62K3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx(I)4N62K3 | |
기타 관련 문서 | STFI4N62K3 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
공급 장치 패키지 | I2PAKFP(TO-281) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13268-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STFI4N62K3 | |
관련 링크 | STFI4N, STFI4N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | IRFR5410TRPBF | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | IRFR5410TRPBF.pdf | |
![]() | IMC1210EB1R0J | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 700 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB1R0J.pdf | |
![]() | 4470R-28J | 180µH Unshielded Molded Inductor 240mA 9.5 Ohm Max Axial | 4470R-28J.pdf | |
![]() | C71K0JT | RES 1.00K OHM 7W 5% AXIAL | C71K0JT.pdf | |
![]() | DPX255950DT-5120A1 | RF Diplexor 2.4GHz ~ 2.5GHz / 4.9GHz ~ 5.95GHz 0805 (2012 Metric), 6 PC Pad | DPX255950DT-5120A1.pdf | |
![]() | BSR14TR-NDSOT23 | BSR14TR-NDSOT23 FAIRCHILD SMD or Through Hole | BSR14TR-NDSOT23.pdf | |
![]() | FXO-LC72 | FXO-LC72 FOX SMD or Through Hole | FXO-LC72.pdf | |
![]() | MXL1013DSB | MXL1013DSB MAXIM SOP8 | MXL1013DSB.pdf | |
![]() | HR1L2Q-T1-A | HR1L2Q-T1-A NEC SOT-89 | HR1L2Q-T1-A.pdf | |
![]() | 2SC3356 / R25 | 2SC3356 / R25 NEC SOT23 | 2SC3356 / R25.pdf | |
![]() | SF0R3G42(N,Q) | SF0R3G42(N,Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | SF0R3G42(N,Q).pdf | |
![]() | WSL-2512 0.018 1%R86 | WSL-2512 0.018 1%R86 ORIGINAL SMD or Through Hole | WSL-2512 0.018 1%R86.pdf |