창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STFI13N80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STFI13N80K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ K5 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAKFP(TO-281) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15374-5 STFI13N80K5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STFI13N80K5 | |
| 관련 링크 | STFI13, STFI13N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C100K5GALTU | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C100K5GALTU.pdf | |
![]() | BFC233842105 | 1µF Film Capacitor 300V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | BFC233842105.pdf | |
![]() | 594D475X9020B2W | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1611 (4028 Metric) 900 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 594D475X9020B2W.pdf | |
![]() | CMF5046R400FHEK | RES 46.4 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5046R400FHEK.pdf | |
![]() | 3500V | 3500V ORIGINAL SMD or Through Hole | 3500V.pdf | |
![]() | ECQB2682KF | ECQB2682KF PANASONIC DIP | ECQB2682KF.pdf | |
![]() | TPS3619-33DKG | TPS3619-33DKG TI MSOP8 | TPS3619-33DKG.pdf | |
![]() | DS12C887C | DS12C887C DALLS SMD or Through Hole | DS12C887C.pdf | |
![]() | FU220 | FU220 ORIGINAL TO-251 | FU220.pdf | |
![]() | 87427F | 87427F Winbond QFN | 87427F.pdf | |
![]() | KS56C820-DW | KS56C820-DW SAMSUNG QFP | KS56C820-DW.pdf |