창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF9NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NM50N(-1) | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7476-5 STF9NM50N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF9NM50N | |
| 관련 링크 | STF9N, STF9NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| RLB9012-180KL | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 2.66A 61 mOhm Max Radial | RLB9012-180KL.pdf | ||
|  | HRG3216P-1580-B-T5 | RES SMD 158 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1580-B-T5.pdf | |
|  | R1EX24016ASA00AS0 | R1EX24016ASA00AS0 RENESAS SMD or Through Hole | R1EX24016ASA00AS0.pdf | |
|  | ATMEL618 | ATMEL618 AT DIP-8 | ATMEL618.pdf | |
|  | MAX809SEURT | MAX809SEURT MAX SOT23- | MAX809SEURT.pdf | |
|  | MC68HC11F1CFN | MC68HC11F1CFN MOT PLCC68 | MC68HC11F1CFN.pdf | |
|  | SR305E105ZAAR1 | SR305E105ZAAR1 AVX SMD or Through Hole | SR305E105ZAAR1.pdf | |
|  | CD10RM0SBR | CD10RM0SBR C&K SMD or Through Hole | CD10RM0SBR.pdf | |
|  | WRB4803YS-3W | WRB4803YS-3W MICRODC SIP8 | WRB4803YS-3W.pdf | |
|  | LRMS-11-5 | LRMS-11-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | LRMS-11-5.pdf | |
|  | ST72T71N5BI | ST72T71N5BI ST 56 DIP | ST72T71N5BI.pdf | |
|  | HP32G181MCYS3WPEC | HP32G181MCYS3WPEC HIT DIP | HP32G181MCYS3WPEC.pdf |