창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF8NK100Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(F,P)8NK100Z | |
기타 관련 문서 | STF8NK100Z View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.85옴 @ 3.15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-5007-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF8NK100Z | |
관련 링크 | STF8NK, STF8NK100Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 1206YC475KAT2A | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206YC475KAT2A.pdf | |
![]() | 416F52013ISR | 52MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52013ISR.pdf | |
![]() | CRCW120610M0DHEAP | RES SMD 10M OHM 0.5% 1/4W 1206 | CRCW120610M0DHEAP.pdf | |
![]() | RNF14BAE402R | RES 402 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE402R.pdf | |
![]() | ADT7310TRZ-REEL | SENSOR TEMPERATURE SPI 8SOIC | ADT7310TRZ-REEL.pdf | |
![]() | CY7C09349AV-12AI | CY7C09349AV-12AI CYPRESS QFP | CY7C09349AV-12AI.pdf | |
![]() | RFM6908 | RFM6908 RFM TO-3 | RFM6908.pdf | |
![]() | SH4286 | SH4286 FAIRCHIL SMD or Through Hole | SH4286.pdf | |
![]() | HMC219AMS8E | HMC219AMS8E HITTITE SMD or Through Hole | HMC219AMS8E.pdf | |
![]() | TC33765-2.8EZR | TC33765-2.8EZR MIC Call | TC33765-2.8EZR.pdf | |
![]() | M26LS31 | M26LS31 MIT SOP | M26LS31.pdf | |
![]() | FJP13003-2 | FJP13003-2 FSC TO-220 | FJP13003-2.pdf |