창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF80N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx80N10F7,STH80N10F7-2 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14832-5 STF80N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF80N10F7 | |
관련 링크 | STF80N, STF80N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | PRG3216P-5360-D-T5 | RES SMD 536 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-5360-D-T5.pdf | |
![]() | CP10110K550P | CP10110K550P RCD SMD or Through Hole | CP10110K550P.pdf | |
![]() | M25PX32VE | M25PX32VE ST SOP8 | M25PX32VE.pdf | |
![]() | 0-600R | 0-600R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0-600R.pdf | |
![]() | LT1366CN8PBF | LT1366CN8PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1366CN8PBF.pdf | |
![]() | BAT85/BAS85 | BAT85/BAS85 PHI SOD-80 | BAT85/BAS85.pdf | |
![]() | CXD103-166Q | CXD103-166Q SONY QFP | CXD103-166Q.pdf | |
![]() | XC6209B322DR | XC6209B322DR TOREX SMD or Through Hole | XC6209B322DR.pdf | |
![]() | GRM36C0G5R6B50Z500 | GRM36C0G5R6B50Z500 MURATA SMD or Through Hole | GRM36C0G5R6B50Z500.pdf | |
![]() | K4N56163QI-ZC20000 | K4N56163QI-ZC20000 SAMSUNG TSOP | K4N56163QI-ZC20000.pdf | |
![]() | SMM02075022RFBP | SMM02075022RFBP vishay SMD or Through Hole | SMM02075022RFBP.pdf | |
![]() | DY-000 | DY-000 DY SMD or Through Hole | DY-000.pdf |