창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF80N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx80N10F7,STH80N10F7-2 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14832-5 STF80N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF80N10F7 | |
| 관련 링크 | STF80N, STF80N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FA-238V 14.7456MD-C3 | 14.7456MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.7456MD-C3.pdf | |
![]() | L-07W8N7KV4T | 8.7nH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W8N7KV4T.pdf | |
![]() | RT0603DRE07820RL | RES SMD 820 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE07820RL.pdf | |
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![]() | K6R4014V1D-TI10 | K6R4014V1D-TI10 SAMSUNG TSOP | K6R4014V1D-TI10.pdf | |
![]() | CLA200VB101M16X20LL | CLA200VB101M16X20LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | CLA200VB101M16X20LL.pdf | |
![]() | GRM21BB10J106KE01L | GRM21BB10J106KE01L MURATA SMD | GRM21BB10J106KE01L.pdf | |
![]() | TMS320BCS1PQ100 | TMS320BCS1PQ100 TIS TMS320BCS1PQ100 | TMS320BCS1PQ100.pdf | |
![]() | UR133A-5.0-A | UR133A-5.0-A UTC SOT89 | UR133A-5.0-A.pdf | |
![]() | IRKC91/10 | IRKC91/10 IR MODULE | IRKC91/10.pdf | |
![]() | NJM2903M.TE3 | NJM2903M.TE3 JRC SOP | NJM2903M.TE3.pdf | |
![]() | KB357N0T | KB357N0T KINGBRIG SMD or Through Hole | KB357N0T.pdf |