창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF7NM80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7NM80(-1) Datasheet | |
기타 관련 문서 | STF7NM80 View All Specifications | |
애플리케이션 노트 | The Alalanche Issue Fishbone Diagram for Power Factor Correction Paralleling of Power MOSFETS AN2344 Appl Note | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1,05옴 @ 3,25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16444 STF7NM80-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF7NM80 | |
관련 링크 | STF7, STF7NM80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | RG1608P-54R9-D-T5 | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-54R9-D-T5.pdf | |
![]() | RC1218DK-072K26L | RES SMD 2.26K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-072K26L.pdf | |
![]() | SFR16S0005602FA500 | RES 56K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0005602FA500.pdf | |
![]() | TF3233S-103Y3R0-K1 | TF3233S-103Y3R0-K1 TDK DIP | TF3233S-103Y3R0-K1.pdf | |
![]() | 1026AB | 1026AB ORIGINAL DIP8 | 1026AB.pdf | |
![]() | HZS6C1TA-E | HZS6C1TA-E RENESA SMD or Through Hole | HZS6C1TA-E.pdf | |
![]() | U221H | U221H ORIGINAL CAN | U221H.pdf | |
![]() | 4216A-AWNU109HA1 | 4216A-AWNU109HA1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4216A-AWNU109HA1.pdf | |
![]() | B67317GX162 | B67317GX162 EPCOS SMD or Through Hole | B67317GX162.pdf | |
![]() | EAJ-710VSN222MR30S | EAJ-710VSN222MR30S NIPPON DIP | EAJ-710VSN222MR30S.pdf | |
![]() | P0751.4721 | P0751.4721 PULSE SMD or Through Hole | P0751.4721.pdf |