창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF6N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx6N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 232pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13948-5 STF6N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF6N60M2 | |
관련 링크 | STF6N, STF6N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
501S42E750FV4E | 75pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 501S42E750FV4E.pdf | ||
ABM2-26.000MHZ-D4Y-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-26.000MHZ-D4Y-T.pdf | ||
KTD1937-U/PF | KTD1937-U/PF KEC TO-220IS | KTD1937-U/PF.pdf | ||
D42616165LG5CTP | D42616165LG5CTP NEC TSOP | D42616165LG5CTP.pdf | ||
74HCAR265 | 74HCAR265 ORIGINAL SSOP-14 | 74HCAR265.pdf | ||
FDB8881 | FDB8881 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDB8881.pdf | ||
70T3539MS166BC | 70T3539MS166BC IDT SMD or Through Hole | 70T3539MS166BC.pdf | ||
NFM41R00C221T/M00-54 | NFM41R00C221T/M00-54 MURATA SMD or Through Hole | NFM41R00C221T/M00-54.pdf | ||
MC68HC908QT4CP | MC68HC908QT4CP MOTOROLA DIP-8 | MC68HC908QT4CP.pdf | ||
SKSGAAE010 | SKSGAAE010 ALPS SMD or Through Hole | SKSGAAE010.pdf | ||
HD6305YOE98P | HD6305YOE98P HITACHI DIP-64 | HD6305YOE98P.pdf | ||
0BDL | 0BDL ORIGINAL SMD or Through Hole | 0BDL.pdf |