창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF3NK80Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx3NK80Z(-1) | |
| 기타 관련 문서 | STF3NK80Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-4342-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF3NK80Z | |
| 관련 링크 | STF3N, STF3NK80Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SLPX681M400H9P3 | 680µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 293 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | SLPX681M400H9P3.pdf | |
![]() | CRCW08058K06FKTA | RES SMD 8.06K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08058K06FKTA.pdf | |
![]() | ADS1278I | ADS1278I TI SMD or Through Hole | ADS1278I.pdf | |
![]() | TK63735AB1G0B | TK63735AB1G0B TOKO BGA | TK63735AB1G0B.pdf | |
![]() | K4F660811D-TC60 | K4F660811D-TC60 SAMSUNG TSSOP | K4F660811D-TC60.pdf | |
![]() | 1720005-1 | 1720005-1 TYCO SMD or Through Hole | 1720005-1.pdf | |
![]() | RLZTE-11 12C | RLZTE-11 12C ROHM SMD or Through Hole | RLZTE-11 12C.pdf | |
![]() | IRFD110PBF-CN | IRFD110PBF-CN VISHAY SMD or Through Hole | IRFD110PBF-CN.pdf | |
![]() | EC-A291 | EC-A291 ORIGINAL SMD or Through Hole | EC-A291.pdf | |
![]() | 54S157DM | 54S157DM F DIP | 54S157DM.pdf | |
![]() | SMCJ64CATR-CT | SMCJ64CATR-CT LF SMD or Through Hole | SMCJ64CATR-CT.pdf |