창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF30N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1270pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14554-5 STF30N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF30N10F7 | |
| 관련 링크 | STF30N, STF30N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 24101000021 | FUSE CRTRDGE 100MA 250VAC NONSTD | 24101000021.pdf | |
![]() | 416F44025ITR | 44MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44025ITR.pdf | |
![]() | AIAP-01-150K-T | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 150 mOhm Max Axial | AIAP-01-150K-T.pdf | |
![]() | RR0510R-28R7-D | RES SMD 28.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510R-28R7-D.pdf | |
![]() | AP1084-1.8V | AP1084-1.8V ANACHIP TO-263 | AP1084-1.8V.pdf | |
![]() | TL2045A | TL2045A TL SOP8 | TL2045A.pdf | |
![]() | 2481AS/BS | 2481AS/BS QCG SMD or Through Hole | 2481AS/BS.pdf | |
![]() | C23Y5U1H105ZTE08 | C23Y5U1H105ZTE08 TOKIN SMD or Through Hole | C23Y5U1H105ZTE08.pdf | |
![]() | ISC-06012 | ISC-06012 EPSON QFP | ISC-06012.pdf | |
![]() | MB95F168JAPMC1-G-JNE1 | MB95F168JAPMC1-G-JNE1 FUJITSU N A | MB95F168JAPMC1-G-JNE1.pdf | |
![]() | MELFAS/6M/6S | MELFAS/6M/6S MELFAS QFN-32 | MELFAS/6M/6S.pdf | |
![]() | BK2125HM604-T | BK2125HM604-T TAIYO SMD or Through Hole | BK2125HM604-T.pdf |