창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF2HNK60Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx2HNK60Z(x) | |
기타 관련 문서 | STF2HNK60Z View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12575-5 STF2HNK60Z-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF2HNK60Z | |
관련 링크 | STF2HN, STF2HNK60Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | P295BE102M500A | 1000pF Film Capacitor 500V Paper, Metallized Radial 0.709" L x 0.217" W (18.00mm x 5.50mm) | P295BE102M500A.pdf | |
![]() | RG1608P-1073-W-T1 | RES SMD 107KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-1073-W-T1.pdf | |
![]() | NSCSSNN100PDUNV | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Differential 0 mV ~ 172.5 mV (5V) 4-SIP Module | NSCSSNN100PDUNV.pdf | |
![]() | 321-28376-01 | 321-28376-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 321-28376-01.pdf | |
![]() | CS5522AP | CS5522AP CRYSTAL DIP20 | CS5522AP.pdf | |
![]() | CF58105N | CF58105N TI DIP40 | CF58105N.pdf | |
![]() | Z8F0423SH005SC | Z8F0423SH005SC ZILOG SOP20 | Z8F0423SH005SC.pdf | |
![]() | PSLK2504G11 | PSLK2504G11 TI BGA | PSLK2504G11.pdf | |
![]() | CY62148BLL-70SXI | CY62148BLL-70SXI CY SMD | CY62148BLL-70SXI.pdf | |
![]() | V180ZT10 | V180ZT10 HARRIS ORIGINAL | V180ZT10.pdf | |
![]() | LM3S1Z16-IQR50-C3 | LM3S1Z16-IQR50-C3 TEXASINSTRUMENTS SMD or Through Hole | LM3S1Z16-IQR50-C3.pdf |