창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF28N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF28N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14216-5 STF28N60M2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF28N60M2 | |
| 관련 링크 | STF28N, STF28N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | XRCGB27M000F3N00R0 | 27MHz ±30ppm 수정 6pF 150옴 -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB27M000F3N00R0.pdf | |
![]() | MBA02040C2003DCT00 | RES 200K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C2003DCT00.pdf | |
![]() | CY74C451-14JC | CY74C451-14JC CYPRESS PLCC | CY74C451-14JC.pdf | |
![]() | D8602N | D8602N NSC DIP16 | D8602N.pdf | |
![]() | MB1519PF | MB1519PF FUJITSU SOP-20 | MB1519PF.pdf | |
![]() | AAT3215IGV-30-T1 | AAT3215IGV-30-T1 AAT SOT23-5 | AAT3215IGV-30-T1.pdf | |
![]() | PQ60050QGA20NNN-G | PQ60050QGA20NNN-G SYNQORINC SMD or Through Hole | PQ60050QGA20NNN-G.pdf | |
![]() | LT4261 | LT4261 LINEAR QFN-28 | LT4261.pdf | |
![]() | RFR6285 | RFR6285 QUALLOMM QFN | RFR6285.pdf | |
![]() | 85C7603 | 85C7603 SAMSUNG DIP28 | 85C7603.pdf | |
![]() | ISL9211IRU58XZ-TCT-ND | ISL9211IRU58XZ-TCT-ND INTERSIL 8-TDFN | ISL9211IRU58XZ-TCT-ND.pdf |