창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF25N60M2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF25N60M2-EP | |
| 주요제품 | 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 188m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15886-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF25N60M2-EP | |
| 관련 링크 | STF25N6, STF25N60M2-EP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | NLV25T-220J-EF | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 125mA 5.5 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-220J-EF.pdf | |
![]() | FKN300JR-73-120R | RES 120 OHM 3W 5% AXIAL | FKN300JR-73-120R.pdf | |
![]() | V30113-C996 | V30113-C996 ORIGINAL PLCC | V30113-C996.pdf | |
![]() | SS811-44CV | SS811-44CV SILICON SOT23-5 | SS811-44CV.pdf | |
![]() | 74AHCT16245DGGRE4 | 74AHCT16245DGGRE4 TI TSSOP48 | 74AHCT16245DGGRE4.pdf | |
![]() | H2KX2 | H2KX2 NO SMD or Through Hole | H2KX2.pdf | |
![]() | LSYT670-JL-1 | LSYT670-JL-1 OSRAM SMD or Through Hole | LSYT670-JL-1.pdf | |
![]() | 160YXF68M12.5X25 | 160YXF68M12.5X25 RUBYCON DIP | 160YXF68M12.5X25.pdf | |
![]() | 2562-OBM | 2562-OBM ORIGINAL SMD or Through Hole | 2562-OBM.pdf | |
![]() | KD12M-T1B | KD12M-T1B ORIGINAL SMD or Through Hole | KD12M-T1B.pdf | |
![]() | LM4050CIM382 | LM4050CIM382 nsc SMD or Through Hole | LM4050CIM382.pdf | |
![]() | FHW1812IF220KST | FHW1812IF220KST Fenghua SMD | FHW1812IF220KST.pdf |