창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF21NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21NM60ND | |
기타 관련 문서 | STF21NM60ND View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-11885-5 STF21NM60ND-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF21NM60ND | |
관련 링크 | STF21N, STF21NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CGA4J3X8R1C105M125AB | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X8R1C105M125AB.pdf | |
![]() | RSS3W18RJTB | RES 18.0 OHM 3W 5% AXIAL | RSS3W18RJTB.pdf | |
![]() | 8203601GX | 8203601GX ORIGINAL SMD or Through Hole | 8203601GX.pdf | |
![]() | PT8A3302WE | PT8A3302WE PTI SOP-8 | PT8A3302WE.pdf | |
![]() | PTZTE2513B 1W 17V | PTZTE2513B 1W 17V ROHM DO-214AC | PTZTE2513B 1W 17V.pdf | |
![]() | HSM276SR01TL TEL:82766440 | HSM276SR01TL TEL:82766440 HITACHI SOT-23 | HSM276SR01TL TEL:82766440.pdf | |
![]() | IR3087MPBF | IR3087MPBF IR QFN-20 | IR3087MPBF.pdf | |
![]() | MJN592M8 | MJN592M8 JRC SOP8 | MJN592M8.pdf | |
![]() | SGH20N60RUFD==FSC | SGH20N60RUFD==FSC FSC TO-3PN | SGH20N60RUFD==FSC.pdf | |
![]() | FP35R12KS4C | FP35R12KS4C infineon SMD or Through Hole | FP35R12KS4C.pdf | |
![]() | AOT-0603YG31A-NO-N | AOT-0603YG31A-NO-N AOT SMDLED | AOT-0603YG31A-NO-N.pdf | |
![]() | HD63BO3RP | HD63BO3RP HITACHI SMD or Through Hole | HD63BO3RP.pdf |