창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF150N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF150N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8115pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15013-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF150N10F7 | |
| 관련 링크 | STF150, STF150N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D4R3CXCAJ | 4.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R3CXCAJ.pdf | |
![]() | S0603-10NH2D | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-10NH2D.pdf | |
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![]() | HL22W820MRWPF | HL22W820MRWPF HITACHI DIP | HL22W820MRWPF.pdf | |
![]() | 332K/275VAC | 332K/275VAC TC SR DAINUTX SMD or Through Hole | 332K/275VAC.pdf | |
![]() | D4SB06 | D4SB06 ORIGINAL DIP-4 | D4SB06.pdf | |
![]() | D55342K07B20E0R | D55342K07B20E0R IRCINCADVFILM SMD DIP | D55342K07B20E0R.pdf | |
![]() | 4D28-150uH | 4D28-150uH ORIGINAL SMD or Through Hole | 4D28-150uH.pdf | |
![]() | CY7B9910-7SC* | CY7B9910-7SC* CY PLCC | CY7B9910-7SC*.pdf | |
![]() | IRH8250 | IRH8250 IR to-254 | IRH8250.pdf | |
![]() | 1-100085-04 | 1-100085-04 SENSIRION SMD or Through Hole | 1-100085-04.pdf |