창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF12NK60Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx12NK60Z | |
| 기타 관련 문서 | STF12NK60Z View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 640m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1740pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-4808-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF12NK60Z | |
| 관련 링크 | STF12N, STF12NK60Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SA100C | TVS DIODE 100VWM 170.1VC DO204AC | SA100C.pdf | |
![]() | EZJ-P0V080GA | VARISTOR 8V 3A 0402 | EZJ-P0V080GA.pdf | |
![]() | BSC040N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON | BSC040N10NS5ATMA1.pdf | |
![]() | PAC500005000FAC000 | RES 500 OHM 5W 1% AXIAL | PAC500005000FAC000.pdf | |
![]() | 44JR100KLFT7 | 44JR100KLFT7 BCK SMD or Through Hole | 44JR100KLFT7.pdf | |
![]() | SiHB22N60E | SiHB22N60E VISHAY TO-263 | SiHB22N60E.pdf | |
![]() | 1N4750A-GW | 1N4750A-GW GW SMD or Through Hole | 1N4750A-GW.pdf | |
![]() | SLJC7 | SLJC7 INTEL BGA | SLJC7.pdf | |
![]() | MC68332GCFC20B1 | MC68332GCFC20B1 MOT Call | MC68332GCFC20B1.pdf | |
![]() | L17DM537441 | L17DM537441 ORIGINAL SMD or Through Hole | L17DM537441.pdf | |
![]() | DR22DOL-E3* | DR22DOL-E3* Fuji SMD or Through Hole | DR22DOL-E3*.pdf | |
![]() | MMUN2116LT4G | MMUN2116LT4G ONSemi SOT23 | MMUN2116LT4G.pdf |