창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF10NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx10NM60ND | |
기타 관련 문서 | STF10NM60ND View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12246 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF10NM60ND | |
관련 링크 | STF10N, STF10NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CMS4A32LAH-75AE | CMS4A32LAH-75AE CDREMAGIC BGA | CMS4A32LAH-75AE.pdf | |
![]() | 7000-12381-2230500 | 7000-12381-2230500 MURR SMD or Through Hole | 7000-12381-2230500.pdf | |
![]() | IL66B | IL66B VIS/INF DIP SOP | IL66B.pdf | |
![]() | 74HC155 | 74HC155 ORIGINAL NA | 74HC155.pdf | |
![]() | HD44780SB06HO | HD44780SB06HO HITACHI QFP | HD44780SB06HO.pdf | |
![]() | SMV0805G5R6PFT | SMV0805G5R6PFT skymosTKOYO SMD | SMV0805G5R6PFT.pdf | |
![]() | AAT3221LD02V5 | AAT3221LD02V5 AAT SMD or Through Hole | AAT3221LD02V5.pdf | |
![]() | A2515N | A2515N HARRIS TSSOP20 | A2515N.pdf | |
![]() | TLO181P | TLO181P TOSHIBA SMD or Through Hole | TLO181P.pdf | |
![]() | D1F 60A | D1F 60A ORIGINAL SMD or Through Hole | D1F 60A.pdf | |
![]() | HFTC-16 | HFTC-16 MINI SMD or Through Hole | HFTC-16.pdf | |
![]() | FZH111/A4NAND30 | FZH111/A4NAND30 SIEMENS DIP | FZH111/A4NAND30.pdf |