창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD9HN65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD9HN65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 820m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-16036-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD9HN65M2 | |
| 관련 링크 | STD9HN, STD9HN65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | CMF606K8100FHEA | RES 6.81K OHM 1W 1% AXIAL | CMF606K8100FHEA.pdf | |
![]() | E2B-M12LN05-M1-B1 | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2B-M12LN05-M1-B1.pdf | |
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![]() | SO340000-16QFN | SO340000-16QFN SYNAPTICS SMD or Through Hole | SO340000-16QFN.pdf | |
![]() | CKCL22C0G1H220KT | CKCL22C0G1H220KT TDK SMD | CKCL22C0G1H220KT.pdf | |
![]() | WPM0509AE | WPM0509AE Wantcom SMD or Through Hole | WPM0509AE.pdf | |
![]() | LMH6643MMNOPB | LMH6643MMNOPB NS SMD or Through Hole | LMH6643MMNOPB.pdf | |
![]() | MSC82166 | MSC82166 HG SMD or Through Hole | MSC82166.pdf | |
![]() | TMP87CS64F-2B69 | TMP87CS64F-2B69 TOS QFP | TMP87CS64F-2B69.pdf |