창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD96N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD96N3LLH6 | |
| 기타 관련 문서 | STD96N3LLH6 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-11214-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD96N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STD96N, STD96N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C1608C0G1H222K080AA | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H222K080AA.pdf | |
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![]() | C2012COG1H040BT | C2012COG1H040BT TDK SMD | C2012COG1H040BT.pdf | |
![]() | ad505mm | ad505mm DATEL DIP | ad505mm.pdf | |
![]() | RK73H2ATTD4702F | RK73H2ATTD4702F KOA 0805-47KF | RK73H2ATTD4702F.pdf | |
![]() | RL56CSMV/6-35LP38 | RL56CSMV/6-35LP38 ROCKWELLINTERNATIONAL SMD or Through Hole | RL56CSMV/6-35LP38.pdf | |
![]() | BH6799FVMF-TR | BH6799FVMF-TR ROHM MSOP-8 | BH6799FVMF-TR.pdf | |
![]() | SY10H016 | SY10H016 SY PLCC | SY10H016.pdf | |
![]() | TDGL005 | TDGL005 Microchip Onlyoriginal | TDGL005.pdf | |
![]() | MC74LVX8051DR2 | MC74LVX8051DR2 ON SOP-16 | MC74LVX8051DR2.pdf | |
![]() | NDV8601VWA/NOPB | NDV8601VWA/NOPB NS P2PANTERA2-PLUS | NDV8601VWA/NOPB.pdf |