창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD95N2LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx95N2LH5 | |
| 기타 관련 문서 | STD95N2LH5 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1817pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-7005-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD95N2LH5 | |
| 관련 링크 | STD95N, STD95N2LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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| AV-9.840625MAME-T | 9.840625MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AV-9.840625MAME-T.pdf | ||
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![]() | 929834-01-08 | 929834-01-08 ORIGINAL SMD or Through Hole | 929834-01-08.pdf | |
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![]() | 54LS74A/BCA | 54LS74A/BCA S SMD or Through Hole | 54LS74A/BCA.pdf | |
![]() | MN8312F | MN8312F MIT QFP | MN8312F.pdf | |
![]() | TC7WZ32FK(PB) | TC7WZ32FK(PB) TOSHIBA SSOP-8 | TC7WZ32FK(PB).pdf | |
![]() | HS-50UD-36 | HS-50UD-36 HSE AC-DC | HS-50UD-36.pdf | |
![]() | IXDF404P1 | IXDF404P1 IXYSA DIP8 | IXDF404P1.pdf |