창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD8NF25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD8NF25 | |
| 기타 관련 문서 | STD8NF25 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 72W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-13090-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD8NF25 | |
| 관련 링크 | STD8, STD8NF25 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FVTS05R2E8K000JE | RES CHAS MNT 8K OHM 5% 5W | FVTS05R2E8K000JE.pdf | |
![]() | CAT24WC01J-TE13 SOP8 | CAT24WC01J-TE13 SOP8 CATALYST SMD or Through Hole | CAT24WC01J-TE13 SOP8.pdf | |
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![]() | M33510GS | M33510GS MIT FCPGA | M33510GS.pdf | |
![]() | MDG06 TL | MDG06 TL ROHM SOP | MDG06 TL.pdf | |
![]() | WL2250AM-008 | WL2250AM-008 ORIGINAL SMD24 | WL2250AM-008.pdf | |
![]() | PST574CMT-R TEL:82766440 | PST574CMT-R TEL:82766440 MITSUMI SOT-3 | PST574CMT-R TEL:82766440.pdf | |
![]() | DSX630G25.000MHZ. | DSX630G25.000MHZ. KDS SMD or Through Hole | DSX630G25.000MHZ..pdf | |
![]() | B66417U0250K187 | B66417U0250K187 EPCOS SMD or Through Hole | B66417U0250K187.pdf | |
![]() | KTC420E | KTC420E KEC SOT-523 | KTC420E.pdf | |
![]() | 321874-000 | 321874-000 TEConn/Critchl SMD or Through Hole | 321874-000.pdf | |
![]() | GBJ610SG | GBJ610SG DIODES GBJ | GBJ610SG.pdf |