창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD80N4F6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD80N4F6 | |
기타 관련 문서 | STD80N4F6 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-13576-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD80N4F6 | |
관련 링크 | STD80, STD80N4F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
VJ0603D3R6BXPAJ | 3.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R6BXPAJ.pdf | ||
416F250XXADT | 25MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250XXADT.pdf | ||
FSAV330QSCX_NL | FSAV330QSCX_NL FAIRCHILD QSOP16 | FSAV330QSCX_NL.pdf | ||
LQ150X1LGN7 | LQ150X1LGN7 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQ150X1LGN7.pdf | ||
XC2V30FG676 | XC2V30FG676 XILINX BGA | XC2V30FG676.pdf | ||
APR3003-17BI-TRL | APR3003-17BI-TRL ANPEC SOT-153 | APR3003-17BI-TRL.pdf | ||
204HD/E-A | 204HD/E-A EVERLIGH SMD or Through Hole | 204HD/E-A.pdf | ||
NJU7326RB1 | NJU7326RB1 JRC TVSP8 | NJU7326RB1.pdf | ||
NFA3216G2C470R470T1M00(NFA31GD4704704D) | NFA3216G2C470R470T1M00(NFA31GD4704704D) MuRata 4(0603) | NFA3216G2C470R470T1M00(NFA31GD4704704D).pdf | ||
EVA80F77B/D | EVA80F77B/D ABOV SMD or Through Hole | EVA80F77B/D.pdf | ||
MCP603IPRPV | MCP603IPRPV MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP603IPRPV.pdf | ||
CR32-4992-FL | CR32-4992-FL ASJ SMD or Through Hole | CR32-4992-FL.pdf |