창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD7NM80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7NM80(-1) Datasheet | |
기타 관련 문서 | STD7NM80 View All Specifications | |
애플리케이션 노트 | The Alalanche Issue Fishbone Diagram for Power Factor Correction Paralleling of Power MOSFETS AN2344 Appl Note | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1,05옴 @ 3,25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-8807-2 STD7NM80-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD7NM80 | |
관련 링크 | STD7, STD7NM80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
HF1008R-621G | 620nH Unshielded Inductor 290mA 1.75 Ohm Max Nonstandard | HF1008R-621G.pdf | ||
TNPW12101M27BEEA | RES SMD 1.27M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M27BEEA.pdf | ||
CMF552K0300BER6 | RES 2.03K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K0300BER6.pdf | ||
A-TC05 | A-TC05 FANUC SIP-16P | A-TC05.pdf | ||
MB87F5101 | MB87F5101 FUJITSU STOCK | MB87F5101.pdf | ||
70914S15PFG8 | 70914S15PFG8 IDT QFP | 70914S15PFG8.pdf | ||
IS42S16800AT | IS42S16800AT ISSI SOP | IS42S16800AT.pdf | ||
IDT71V416S12PHGI | IDT71V416S12PHGI ORIGINAL TSOP-44 | IDT71V416S12PHGI.pdf | ||
Z86C8316SSGR53JX | Z86C8316SSGR53JX ZILOG SOP-24 | Z86C8316SSGR53JX.pdf | ||
BCR129SH6327 | BCR129SH6327 INF SMD or Through Hole | BCR129SH6327.pdf | ||
RCLXT16768EF | RCLXT16768EF INTEL BGA | RCLXT16768EF.pdf | ||
1826-0476 | 1826-0476 ORIGINAL DIP8 | 1826-0476.pdf |