창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD7N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD7N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-15050-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD7N65M2 | |
| 관련 링크 | STD7N, STD7N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ULD2G5R6MPD | 5.6µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 15000 Hrs @ 105°C | ULD2G5R6MPD.pdf | |
![]() | ATA6662-TAQY | ATA6662-TAQY ATMEL SOP-8 | ATA6662-TAQY.pdf | |
![]() | H5815D20A | H5815D20A HS DIP | H5815D20A.pdf | |
![]() | S812C55AUAC3JT2G | S812C55AUAC3JT2G SEIKO SMD or Through Hole | S812C55AUAC3JT2G.pdf | |
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![]() | KAR00900GM-DJYY | KAR00900GM-DJYY SAMSUNG BGA | KAR00900GM-DJYY.pdf | |
![]() | 5-177983-1 | 5-177983-1 AMP SMD or Through Hole | 5-177983-1.pdf | |
![]() | CCP2E38TTE | CCP2E38TTE KOA 1210 | CCP2E38TTE.pdf | |
![]() | LM319AN. | LM319AN. NSC DIP14 | LM319AN..pdf | |
![]() | BCM6410RA0IPB-P10 | BCM6410RA0IPB-P10 BROADCOM BGA2727 | BCM6410RA0IPB-P10.pdf | |
![]() | R1183Z261D-TR-F | R1183Z261D-TR-F RICOH WLCSP-4-P2 | R1183Z261D-TR-F.pdf | |
![]() | DWR70BB30 | DWR70BB30 sanrex SMD or Through Hole | DWR70BB30.pdf |