창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD7N52DK3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7N52DK3 | |
기타 관련 문서 | STD7N52DK3 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperFREDmesh3™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 525V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10707-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD7N52DK3 | |
관련 링크 | STD7N5, STD7N52DK3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C907U152MYVDAA7317 | 1500pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U152MYVDAA7317.pdf | |
![]() | SMCJ6072AE3/TR13 | TVS DIODE 185VWM 328VC SMCJ | SMCJ6072AE3/TR13.pdf | |
![]() | PALCE16V8H-7SC | PALCE16V8H-7SC AMD SOP | PALCE16V8H-7SC.pdf | |
![]() | CR0805D12-100-8M2-1%-P5 | CR0805D12-100-8M2-1%-P5 DRA SMD or Through Hole | CR0805D12-100-8M2-1%-P5.pdf | |
![]() | WR-80P-VF-N1 | WR-80P-VF-N1 JAE/WSI SMD or Through Hole | WR-80P-VF-N1.pdf | |
![]() | SHCS2000 | SHCS2000 ORIGINAL SOT | SHCS2000.pdf | |
![]() | S80C51FA-1 | S80C51FA-1 INTEL SMD or Through Hole | S80C51FA-1.pdf | |
![]() | SD803C10S10CPBF | SD803C10S10CPBF IR SMD or Through Hole | SD803C10S10CPBF.pdf | |
![]() | HDL4H19KNW304-00 | HDL4H19KNW304-00 HITACHI BGA | HDL4H19KNW304-00.pdf | |
![]() | ORD229(1820) | ORD229(1820) OKI DIP | ORD229(1820).pdf | |
![]() | XC4062XL BG432CFN | XC4062XL BG432CFN XILINX BGA | XC4062XL BG432CFN.pdf | |
![]() | MT9VDDF6472G-40BD3 | MT9VDDF6472G-40BD3 MicronTechnologyInc Tray | MT9VDDF6472G-40BD3.pdf |