창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD75N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx75N3LLH6(-S) | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 37.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-10119-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD75N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STD75N, STD75N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40625ATT | 40.61MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40625ATT.pdf | |
![]() | ERA-8AEB5360V | RES SMD 536 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB5360V.pdf | |
![]() | MCR10EZHJ560 | RES SMD 56 OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZHJ560.pdf | |
![]() | AA0805FR-071M37L | RES SMD 1.37M OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-071M37L.pdf | |
| FSL128MRTWDTU | Converter Offline Flyback Topology 67kHz TO-220F-6L | FSL128MRTWDTU.pdf | ||
![]() | RF1S30P06SM9AS | RF1S30P06SM9AS INTERSIL TO-263-2 | RF1S30P06SM9AS.pdf | |
![]() | R1180D151B-TR-FA | R1180D151B-TR-FA ORIGINAL SOT-23 | R1180D151B-TR-FA.pdf | |
![]() | 74HC214D | 74HC214D PHI SMD or Through Hole | 74HC214D.pdf | |
![]() | BYD57V | BYD57V PHILIPS SOD-87 | BYD57V.pdf | |
![]() | 412-6346 | 412-6346 TELEDYNE CAN8 | 412-6346.pdf | |
![]() | LP2902N * | LP2902N * TIS Call | LP2902N *.pdf |