창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD6N52K3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,D,F,P)6N52K3 | |
기타 관련 문서 | STD6N52K3 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 525V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10118-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD6N52K3 | |
관련 링크 | STD6N, STD6N52K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
VJ1210A220JBLAT4X | 22pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A220JBLAT4X.pdf | ||
1N5364/TR8 | DIODE ZENER 33V 5W T18 | 1N5364/TR8.pdf | ||
SPD74-684M | 680µH Shielded Wirewound Inductor 320mA 4.63 Ohm Max Nonstandard | SPD74-684M.pdf | ||
LHMTS0-G-LA | MULTI-TECH WALL SWITCH SENSOR | LHMTS0-G-LA.pdf | ||
17811A | 17811A M DIP8 | 17811A.pdf | ||
AN7233SH | AN7233SH ORIGINAL SOP | AN7233SH.pdf | ||
CS1608X7R563K500NRB | CS1608X7R563K500NRB SAMWHA SMD or Through Hole | CS1608X7R563K500NRB.pdf | ||
NRWY332M16V12.5X25F | NRWY332M16V12.5X25F NICCOMP DIP | NRWY332M16V12.5X25F.pdf | ||
PBSS4140V,115 | PBSS4140V,115 NXP SMD or Through Hole | PBSS4140V,115.pdf | ||
PT7M7825MTAE | PT7M7825MTAE PERICOM SMD or Through Hole | PT7M7825MTAE.pdf | ||
SIGC12T60NC | SIGC12T60NC INFINEON SMD or Through Hole | SIGC12T60NC.pdf | ||
MU9C2485A-90TCC | MU9C2485A-90TCC MUSICSemi 80-LQFP | MU9C2485A-90TCC.pdf |